SJ 20644.1-2001 半导体光电子器件GD3550Y型PIN光电二极管详细规范
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22C58CB2F1154BE79D52AFA5ECA47400 |
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文件大小(MB)： |
0.54 |
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9 |
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日期： |
2024-7-27 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 20644/1—2001,半导体光电子器件,GD3550Y型PIN光电二极管,详细规范,L,Semiconductor optoelectronic devices,Detail specification for type GD3550Y PIN photodiode,2001-12-27 发布2002-01-0I 实施,中华人民共和国信息产业部 批准,www. bzfxw. com下埶,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体光电子器件,GD355OY型PIN光电二极管详细规范,Semiconductor optoeletronic devices,Detail specification for type GD3550Y PIN photodiode,SJ 20644/1—2001,范围,1.I 主题内容,本规范规定了军用GD3550Y型PIN光电二极管（以下简称“器件”）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购.,1.3 分类,按本规范提供的器件根据SJ 20644—97《PIN、APD光电探测器总规范》规定为:,密封等级A类;,波长1.0 -m.皮65 gm；,光耦合类型3型ー球面透镜,2引用文件,GB/T 15651-1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件,GJB 128A—97半导体分立器件试验方法,SJ 2354—83 PIN、雪崩光电二极管测试方法,SJ 20644—97 PIN、APD光电探测器总规范,3定义,3.I 详细要求,应符合SJ 20644和本规范的规定,3.2 合格鉴定,本规范提交的器件应是经鉴定合格批准的产品.,3.3 材料,3. 3.1芯片材料,器件芯片材料为锢傢种/磷化锢,3. 3.2引线材料,引线材料为可伐材料,3. 3. 3 一透镜材料,中华人民共和国信息产业部2001-12-27发布 2002-01-0I实施,1,SJ 20644/1—2001,透镜玻璃,光透过率大于90%中,3.4 结构,器件的结构应符合SJ 20644和本规范的规定,3.4.1 芯片结构,芯片结构为PIN,3.4.2 光粒面直径,光敏面直径为300 inu,3.4.3 封装形式,器件采用全金属化熔封,3.4.4 引线镀涂,引线为镀金,也可按照订货文件规定（见6.2）选择镀层,3. 4.5外形尺寸,外形尺寸见图U,A向,mm,、、符号,尺寸、、D りり2 b A 4 . J k L e,最小值5.0 4.4 L25 0.33 4.2 0.6 1.1 1J 133,标称值- ■ ■ i ■ ■ ■ 1 1 1.27,最大值5.6 4.9 1.35 0.36 4.8 0.8 13 13 ■ II,图!外形尺寸,3.4.6 引出端识别,引出端识别见图2.,2,www. bzfxw. com下,SJ 20644/1—2001,管脚_ 接线,1 电源负极,2 电源正极,3 悬空或接地,i,2 M4 引出端识别,3.4.7 引线长度,可按订货文件规定(见6.2),提供引线长度不同于图1的器件,3.5光电性能,3.5 .I最大额定值,最大额定值见表し,表1,7Ng,℃,Ta,℃,Gd,℃,味,V,4m,mA,P101,mW,4,mW____,-45.125 - 45700 260 5 10 10 4,3.5 . 2主要光电特性,主要光电特性见表2 (TA =25 ℃)0,表2,特性符号测试条件,极限值,単位,最小值最大值,响应度S 35 V d=1 nW 4= 1.3 0 nm 0.7 ■ ■■ gA/pW,暗电流 _______ 4(D) Hr=5 V "=0 丒 一丒10 nA,总电容戸 MHz J'r=5 V 丒丒丒 丒10 pF,上升时间レPfr=5 V &=50 Q 丒丒5 ns,下降时间方=1 mW え=1,30 im 5 ns,反向击穿电压匕BR) 厶二 10 pA 30 ■ _______V________,光谱响应范围スL.えH 限=5V,以=1 mW L0 1.65 pm,3.6 环境和机械要求,环境和机械要求应满足SJ 20644和本规范表4、表5和表6的要求,3 . 7标志,标志应符合SJ 20644和本规范的规定。器件上应打印下列标志:,器件型号和序号,4质量保证规定,4 .!抽样和检脸,3,SJ 20644/1—2001,抽样和检验应按SJ 20644和本规て的规定,4,1,1表4中A1分组进行检验和试验的器件可以用于A2分组丒A2分组合格样品可以用于A3和,A4分组的检验和试验。如果样本母数不满足抽样要求时,则进行百分之百检验,4.L2鉴定试验总样品量至少应等于C组抽样数的2倍q,4.1.3如果光电参数不合格的器件已随同检验批通过老炼前各项试验,则表5中BLB4分组的器,件可以采用同一检验批中光电参数不合格器件,4.L4表5中B3分组的器件可继续按表6中C5分组的规定进行试验,直至总试验时间达到1 000レ,4. L 5按表6中C1分组进行检验的器件可以用于表6中C2分组的检验和试验.,4.2 筛选,应按SJ 20644和本规范表3的规定や,表3筛选,筛选,内部目检（封装前）,高温寿命（非工作）,温度循环,恒定加速度,密封,乩细检漏,方法,2073,1032,1051,2006,1071,GJB 128A,条件,_________ 极限值,最小值 .最大值,单位,7；tg=125 ℃ 产24 h,除最低温度T5 ℃外其余,按试验条件B,YI 方向 98 ……
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